目前很多模块封装机构仍沿用Si 基IGBT模块的封装结构和工艺，难以实现SiC MOSFET的优越性能，封装技术已成为阻碍SiC功率模块在电控上应用的一个主要瓶颈。什么是先进的SiC功率模块封装，如何提高封装的散热效能、可靠性及降低杂散电感参数，以及如何优化封装成本，这些都是行业最为关切的问题。

为此，本届TMC将举办车规级SiC功率模块封装与应用技术论坛，邀请中国科学院电工所、上汽捷能、Yole Développement、纬湃科技、博格华纳、法雷奥、博世、英飞凌、丹佛斯、中车时代半导体等单位的高层技术专家，分享最新的SiC功率模块封装及应用技术趋势与创新技术：

演讲之后还将组织一场高层互动论坛，探讨什么是梦想中的车规级SiC功率模块封装技术（详见后面）。

这将是汽车行业内首次聚焦电驱动系统SiC功率模块封装技术，且由半导体、模块、电驱动系统、整车产业链上下游及科研机构共同研讨的论坛。

期待通过创新技术和发展趋势的研讨，能够就什么是车规级SiC模块封装达成行业共识，促进产业链上下游协同创新，为探索封装技术的创新方向提供高价值的参考。

车规级SiC功率模块动态性能参数应该达到多少，散热传热效能优化到什么程度，可靠性循环测试如何转换为车企认可的循环寿命，怎么做到应用端要求的低成本，这些问题都处于模糊状态。究其原因，就是整车企业应用SiC功率模块，本身就是摸着石头过河，且各自为战；车企闭门造车，半导体企业闭门造模块，在可靠性等指标上难以建立整车与模块的直接联系。

什么才是车规级SiC功率模块，整个行业需要达成一个共识，才能在接下来的创新中摸索出符合实际应用要求的技术路线。

针对以上问题，论坛将特别设置高层互动环节，拟邀请一汽集团，上汽捷能，博格华纳，英飞凌，丹佛斯，中车时代半导体的技术高层就打造车企梦想的SiC功率模块展开讨论，这也将是汽车行业首次专门针对SiC功率模块封装相关敏感话题展开交流互动。